型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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APTGT75A120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 10 | POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | |
APTGT75A120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 23 | IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | |
APTGT75DA120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75DH120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT75DH60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:非对称桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT75DSK60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双路降压斩波器 电压 - 集电极发射极击穿(... | ||
APTGT75DU120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)... | ||
APTGT75H120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT75H60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 5 | POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT75H60T2G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP2 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | |
APTGT75H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大... | ||
APTGT75SK120D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1200V 110A 357W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75SK120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 110A 357W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75SK120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 110A 357W SP4 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75SK170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 120A 520W D1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... | ||
APTGT75SK60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 600V 100A 250W SP1 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6... | ||
APTGT75TA120PG | Microsemi Power Products Group | SP6 | 10 | POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 | IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1... |