型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
FGD3040G2 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V
Vge, Ic... |
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FGD3440G2 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
|
IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):400V
Vge, Ic... |
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FGD3N60LSDTM |
Fairchild Semiconductor
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
3329+5000 |
IGBT N-CH 600V FOR HID APP DPAK |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
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FGD4536TM |
Fairchild Semiconductor
|
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
0+950000 |
IGBT PDP 360V 50A DPAK |
IGBT 类型:沟道
电压 - 集电极发射极击穿(最大):360V
Vge, I... |
|
FGH20N60SFDTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
429+1800 |
IGBT 600V 40A TO-247 |
IGBT 类型:场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, ... |
|
FGH20N60UFDTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
170+300 |
IGBT 600V 40A TO-247 |
IGBT 类型:场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, ... |
|
FGH20N6S2 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-3P-3,SC-65-3 |
|
IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH20N6S2D |
Fairchild Semiconductor
|
TO-3P-3,SC-65-3 |
|
IGBT N-CH SMPS 600V 28A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH25N120FTDS |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
0+3300 |
IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 |
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
V... |
|
FGH30N120FTDTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT TRENCH 1200V 30A TO-247 |
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
V... |
|
FGH30N60LSDTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
117+600 |
IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH30N6S2 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH30N6S2D |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT N-CH SMPS 600V 45A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH40N6S2D |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT N-CH SMPS 600V 75A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH40T100SMD |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1000V
V... |
|
FGH50N3 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
0+3600 |
IGBT N-CH PT 300V 75A TO247 |
IGBT 类型:PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
Vge, I... |
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FGH50N6S2 |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
|
IGBT N-CHAN SMPS 600V 75A TO247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH50N6S2D |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
65 |
IGBT N-CHAN 600V 75A TO-247 |
IGBT 类型:-
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic... |
|
FGH60N60SFDTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
215 |
IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
IGBT 类型:场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, ... |
|
FGH60N60SFTU |
Fairchild Semiconductor
|
TO-247-3 |
439+300 |
IGBT 120A 600V FIELD STOP TO-247 |
IGBT 类型:场截止
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, ... |
|