| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PTFA080551EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA080551EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA080551EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA080551FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA080551FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA080551FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA081501EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 150W H-30248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：900MHz 增益：18dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA081501FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 150W H-31248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：900MHz 增益：18dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA082201EV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA082201EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA082201EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA082201FV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA082201FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA082201FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：894MHz 增益：18dB 电压 - 测试：30... | ||
| PTFA091201EV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：19dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA091201EV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：19dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA091201FV4 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：19dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA091201FV4R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线，带法兰 | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：19dB 电压 - 测试：28... | ||
| PTFA091201GLV1 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... | ||
| PTFA091201GLV1R250 | Infineon Technologies | 2-扁平封装，叶片引线 | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | 晶体管类型：LDMOS 频率：960MHz 增益：18.5dB 电压 - 测试：... |
