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2N7000RLRMG

ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
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简述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
参考包装数量:2000
参考包装形式:带盒(TB)

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2N7000RLRMG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:通孔

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