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2N7002ET3G

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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2N7002ET3G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 240mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):26.7pF @ 25V
功率 - 最大值:300mW
安装类型:表面贴装

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