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2N7002V-TP

Micro Commercial Co SOT-563,SOT-666
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简述:MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2N7002V-TP相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2N7002W Fairchild Semiconductor SC-70,SOT-323 6000+150000 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002W-7 Diodes Inc SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002W-7-F Diodes Inc SC-70,SOT-323 12000 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002VC-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
2N7002VAC-7 Diodes Inc SOT-563,SOT-666 MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-563 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
2N7002VA-7-F Diodes Inc SOT-563,SOT-666 21127 MOSFET DUAL N-CH 60V SOT-563 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...

2N7002V-TP参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:280mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:-
输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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