收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2N7002_S00Z
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2N7002_S00Z

Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与2N7002_S00Z相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2N7002-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 117000 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2N7002A-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 MOSFET N CH 60V 180MA SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002_NB9G002 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002_L99Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2N7002_D87Z Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+50000 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

2N7002_S00Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):115mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 25V
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别