收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 2SK1058-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

2SK1058-E

Renesas Electronics America TO-3P-3,SC-65-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
参考包装数量:1
参考包装形式:管件

与2SK1058-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
2SK11030QL Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3579 JFET N-CH 65V 20MA MINI-3 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):600µA ...
2SK1119(F) Toshiba TO-220-3 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK122800L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
2SK0665G0L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-85 MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK066500L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
2SK0664G0L Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-85 MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

2SK1058-E参数资料


FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):160V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 10V
功率 - 最大值:100W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别