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2SK1365(F)

Toshiba TO-3P-3,SC-65-3
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简述:MOSFET N-CH 1KV 7A TO-3PN
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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2SK1365(F)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔

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