收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > 3LN01S-TL-E
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

3LN01S-TL-E

ON Semiconductor SC-75,SOT-416
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与3LN01S-TL-E相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
3LP01C-TB-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 100MA CP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
3LP01M-TL-H ON Semiconductor SC-70,SOT-323 0+87000 MOSFET P-CH 30V 100MA MCP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
3LP01SS-TL-H ON Semiconductor SC-75,SOT-416 MOSFET P-CH 30V 400MA SMCP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
3LN01SS-TL-H ON Semiconductor SC-75,SOT-416 0+16000 MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
3LN01M-TL-H ON Semiconductor SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 30V 150MA MCP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
3LN01C-TB-H ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 0+18000 MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

3LN01S-TL-E参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):150mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 80mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.58nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7pF @ 10V
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别