收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT10021JLL
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT10021JLL

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT10021JLL相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT10025JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT10025JVR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT10035B2FLLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 18 MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT10021JFLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 14 MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT1001RSVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 11A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
APT1001RBVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 11A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT10021JLL参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:37A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:210 毫欧 @ 18.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:395nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:9750pF @ 25V
功率 - 最大:694W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别