收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APT100GF60JU3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT100GF60JU3

Microsemi Power Products Group ISOTOP
询价QQ:
简述:IGBT 600V 120A 416W SOT227
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APT100GF60JU3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT100GN120B2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 38 IGBT 1200V 245A 960W TMAX IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V V...
APT100GN120J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 IGBT 1200V 153A 446W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GN120JDQ4 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 15 IGBT 1200V 153A 446W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT100GF60JU2 Microsemi Power Products Group ISOTOP 43 IGBT 600V 120A 416W SOT227 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APT100F50J Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 500V 103A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT10090SLLG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT100GF60JU3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):120A
电流 - 集电极截止(最大):100µA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.3nF @ 25V
功率 - 最大:416W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别