| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APT10M07JVFR |
Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 225A SOT-227 参考包装数量：10 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APT10M09B2VFRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT10M09LVFRG | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT10M11B2VFRG | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| APT106N60B2C6 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 62 | MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| APT102GA60L | Microsemi Power Products Group | TO-264-3，TO-264AA | 22 | IGBT 600V 183A 780W TO264 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
| APT102GA60B2 | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 变式 | 30 | IGBT 600V 183A 780W TO247 | IGBT 类型：PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V Vge, I... |
