收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT14F100B
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT14F100B

Microsemi Power Products Group TO-247-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT14F100B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT14M100B Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT14M120B Microsemi Power Products Group TO-247-3 96 MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT150GN120J Microsemi Power Products Group ISOTOP 205 IGBT 1200V 215A 625W SOT227 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APT14050JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
APT13GP120KG Microsemi Power Products Group TO-220-3 IGBT 1200V 41A 250W TO220 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...
APT13GP120BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 1200V 41A 250W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, ...

APT14F100B参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):980 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):120nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3965pF @ 25V
功率 - 最大值:500W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别