| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
APT200GN60B2G |
Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 5 | 询价QQ： |
|
| 简述：IGBT 600V 283A 682W TO247 参考包装数量：30 参考包装形式：管件 |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| APT200GN60J | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 46 | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APT200GN60JDQ4 | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | 64 | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APT200GN60JDQ4G | Microsemi Power Products Group | ISOTOP | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APT19M120J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 6 | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
| APT19F100J | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | 6 | MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227 | FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电... |
| APT18M80B | Microsemi Power Products Group | TO-247-3 | 24 | MOSFET N-CH 800V 19A TO-247 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
