收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > IGBT - 单路 > APT30GT60BRDQ2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT30GT60BRDQ2G

Microsemi Power Products Group TO-247-3 175
询价QQ:
简述:IGBT 600V 64A 250W TO247
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT30GT60BRDQ2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT30GT60BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 IGBT 600V 64A 250W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
APT30GT60KRG Microsemi Power Products Group TO-220-3 IGBT 600V 64A 250W TO220 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
APT30M17JFLL Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 300V 135A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT30GS60BRDQ2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 22 IGBT 600V 54A 250W SOT227 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
APT30GP60JDQ1 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 IGBT 600V 67A 245W SOT227 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V ...
APT30GP60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 50 IGBT 600V 100A 463W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...

APT30GT60BRDQ2G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,30A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):64A
功率 - 最大:250W
输入类型:标准
安装类型:通孔

最近更新

型号类别