收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT30M60J
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT30M60J

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227
参考包装数量:10
参考包装形式:管件

与APT30M60J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT30M70BVFRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M70BVRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 300V 48A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M70SVRG Microsemi Power Products Group TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 48A D3PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M40LVRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 76A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M40LVFRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 300V 76A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT30M40JVR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APT30M60J参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:31A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:215nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:5890pF @ 25V
功率 - 最大:355W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别