收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APT5010JVRU3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT5010JVRU3

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 21
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APT5010JVRU3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT5010LFLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT5010LLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 25 MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT5010LVFRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 500V 47A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT5010JVRU2 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 87 MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT5010JVR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APT5010JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APT5010JVRU3参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:44A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:312nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7410pF @ 25V
功率 - 最大:450W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别