收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APT50GP60J
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT50GP60J

Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10
询价QQ:
简述:IGBT 600V 100A 329W SOT227
参考包装数量:10
参考包装形式:

与APT50GP60J相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT50GP60JDQ2 Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC 10 IGBT 600V 100A 329W SOT227 IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V ...
APT50GS60BRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 540 IGBT 600V 93A 415W TO247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, ...
APT50GT120B2RDLG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 30 IGBT 1200V 106A 694W TO-247 IGBT 类型:NPT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge,...
APT50GP60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 17 IGBT 600V 100A 625W TO247 IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
APT50GP60B2DQ2G Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 120 IGBT 600V 150A 625W TMAX IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, I...
APT50GN60BG Microsemi Power Products Group TO-247-3 167 IGBT 600V 107A 366W TO247 IGBT 类型:沟道和场截止 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vg...

APT50GP60J参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:PT
配置:单一
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.7V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100A
电流 - 集电极截止(最大):500µA
Vce 时的输入电容 (Cies):5.7nF @ 25V
功率 - 最大:329W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别