收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > APT8030B2VFRG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APT8030B2VFRG

Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX
参考包装数量:30
参考包装形式:管件

与APT8030B2VFRG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APT8030B2VRG Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 800V 27A T-MAX FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
APT8030JVFR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
APT8030JVR Microsemi Power Products Group SOT-227-4,miniBLOC MOSFET N-CH 800V 25A SOT-227 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至...
APT8024LVRG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 33A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8024LLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
APT8024LFLLG Microsemi Power Products Group TO-264-3,TO-264AA 13 MOSFET N-CH 800V 31A TO-264 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

APT8030B2VFRG参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):300 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):510nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7900pF @ 25V
功率 - 最大值:520W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别