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APTC60AM45BC1G

Microsemi Power Products Group * 10
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简述:MOSFET N CH 600V 49A SP1
参考包装数量:1
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTC60AM45BC1G参数资料

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FET 型:-
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:49A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 24.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:7200pF @ 25V
功率 - 最大:250W
安装类型:*

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