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APTC60DAM18CTG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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APTC60DAM18CTG参数资料

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FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:143A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18 毫欧 @ 71.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1036nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:28000pF @ 25V
功率 - 最大:833W
安装类型:底座安装

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