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APTC80H29T1G

Microsemi Power Products Group SP1
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简述:MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTC80H29T1G参数资料

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FET 型:4 N 通道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:290 毫欧 @ 7.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:2254pF @ 25V
功率 - 最大:156W
安装类型:底座安装

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