| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTCV60HM45BT3G |
Microsemi Power Products Group | * | 10 | 询价QQ： |
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| 简述：POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTCV60HM45RCT3G | Microsemi Power Products Group | * | 9 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTCV60HM45RT3G | Microsemi Power Products Group | * | 8 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿（最大... |
| APTCV60TLM99T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：三级反相器 - IGBT，FET 电压 - ... | |
| APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：升压斩波器，全桥 电压 - 集电极发射极击穿... |
| APTCV50H60T3G | Microsemi Power Products Group | SP3 | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 | IGBT 类型：NPT、沟道和场截止 配置：全桥 电压 - 集电极发射极击穿（最... | |
| APTCV40H60CT1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：全桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
