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APTGF50DH60T1G

Microsemi Power Products Group SP1 34
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简述:IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGF50DH60T1G参数资料

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IGBT 类型:NPT
配置:非对称桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.2nF @ 25V
功率 - 最大:250W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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