收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGF50H60T2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGF50H60T2G

Microsemi Power Products Group * 10
询价QQ:
简述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGF50H60T2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGF50H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 30 POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGF50SK120T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT 1200V 75A 312W SP1 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APTGF50SK120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 1200V 75A 312W SP4 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200...
APTGF50H60T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGF50H120TG Microsemi Power Products Group SP4 15 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 IGBT 类型:NPT 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGF50DU120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MODULE NPT DUAL SP4 IGBT 类型:NPT 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大):12...

APTGF50H60T2G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.45V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):65A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.2nF @ 25V
功率 - 最大:250W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:*

最近更新

型号类别