收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGFQ25H120T2G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGFQ25H120T2G

Microsemi Power Products Group SP2 90
询价QQ:
简述:IGBT 1200V 40A 227W MODULE
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGFQ25H120T2G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGL120TA120TPG Microsemi Power Products Group SP6 19 IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL180A1202G Microsemi Power Products Group * 10 POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL180A120T3AG Microsemi Power Products Group SP3 IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGF90TDU60PG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P IGBT 类型:NPT 配置:三,双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGF90TA60PG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P IGBT 类型:NPT 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...
APTGF90SK60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 600V 110A 416W SP4 IGBT 类型:NPT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V...

APTGFQ25H120T2G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:NPT 型和场截止型
配置:全桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):2.02nF @ 25V
功率 - 最大:227W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:通孔

最近更新

型号类别