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APTGL475A120D3G

Microsemi Power Products Group D3 10
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简述:POWER MOD MOSFET 4PHASE LEG D3
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与APTGL475A120D3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGL475DA120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 610A 2080W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL475SK120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 610A 2080W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL475U120D4G Microsemi Power Products Group D4 2 IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL325SK120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 420A 1500W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL325DA120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 420A 1500W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGL325A120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...

APTGL475A120D3G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.2V @ 15V,400A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):610A
电流 - 集电极截止(最大):5mA
Vce 时的输入电容 (Cies):24.6nF @ 25V
功率 - 最大:2080W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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