| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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APTGT100DA120D1G |
Microsemi Power Products Group | D1 | 询价QQ： |
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| 简述：IGBT 1200V 150A 520W D1 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| APTGT100DA120T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | IGBT 1200V 140A 480W SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100DA120TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT 1200V 140A 480W SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100DA170D1G | Microsemi Power Products Group | D1 | IGBT 1700V 200A 695W D1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1... | |
| APTGT100BB60T3G | Microsemi Power Products Group | * | 10 | POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
| APTGT100A60TG | Microsemi Power Products Group | SP4 | IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... | |
| APTGT100A60T1G | Microsemi Power Products Group | SP1 | 18 | IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 | IGBT 类型：沟道和场截止 配置：半桥 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：6... |
