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APTGT150H60TG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT150H60TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT150SK120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1200V 220A 700W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT150SK120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 1200V 220A 690W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT150SK120TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT 1200V 220A 690W SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT150H170G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT150H120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT150DU60TG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:双,共源 电压 - 集电极发射极击穿(最大)...

APTGT150H60TG参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,150A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):225A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):9.2nF @ 25V
功率 - 最大:480W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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