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APTGT200A60TG

Microsemi Power Products Group SP4
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简述:IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT200A60TG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT200DA120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT 1200V 300A 1050W D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT200DA120G Microsemi Power Products Group SP6 IGBT 1200V 280A 890W SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
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APTGT200A60T3AG Microsemi Power Products Group SP3 12 IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
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APTGT200A60TG参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):290A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):12.3nF @ 25V
功率 - 最大:625W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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