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APTGT20H60T1G

Microsemi Power Products Group SP1
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
参考包装数量:1
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与APTGT20H60T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT20H60T1G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):32A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.1nF @ 25V
功率 - 最大:62W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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