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APTGT25H120T1G

Microsemi Power Products Group SP1
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简述:IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
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与APTGT25H120T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT25SK120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1200V 40A 140W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT25X120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT300A120D3G Microsemi Power Products Group D3 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT25DA120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT 1200V 40A 140W D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT25A120T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT25A120D1G Microsemi Power Products Group D1 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:半桥 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...

APTGT25H120T1G参数资料

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IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,25A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):1.8nF @ 25V
功率 - 最大:156W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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