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APTGT50A170D1G

Microsemi Power Products Group D1
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简述:IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
参考包装数量:1
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与APTGT50A170D1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT50A170D1G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1700V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.4V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):70A
电流 - 集电极截止(最大):6mA
Vce 时的输入电容 (Cies):4.4nF @ 25V
功率 - 最大:310W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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