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APTGT50H60RT3G

Microsemi Power Products Group * 10
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简述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
参考包装数量:1
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与APTGT50H60RT3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTGT50H60RT3G参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:全桥反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,50A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):80A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):3.15nF @ 25V
功率 - 最大:176W
输入:单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:是
安装类型:*

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