收藏本站

首页 > 半导体模块 > IGBT > APTGT75TDU120PG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTGT75TDU120PG

Microsemi Power Products Group SP6
询价QQ:
简述:IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P
参考包装数量:1
参考包装形式:

与APTGT75TDU120PG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGT75TDU60PG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRPL DUAL SOURCE SP6-P IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三,双 - 共源 电压 - 集电极发射极击穿...
APTGT75TL60T3G Microsemi Power Products Group SP3 9 POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT75X60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT75TA60PG Microsemi Power Products Group SP6 IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...
APTGT75TA120PG Microsemi Power Products Group SP6 10 POWER MOD IGBT 3PHASE LEG SP6 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1...
APTGT75SK60T1G Microsemi Power Products Group SP1 IGBT 600V 100A 250W SP1 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):6...

APTGT75TDU120PG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

IGBT 类型:沟道和场截止
配置:三,双 - 共源
电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):5.34nF @ 25V
功率 - 最大:350W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别