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APTGV100H60BTPG

Microsemi Power Products Group SP6
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简述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P
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与APTGV100H60BTPG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTGV100H60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV15H120T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:全桥反相器 电压 - 集电极发射极击...
APTGV25H120BG Microsemi Power Products Group SP4 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 IGBT 类型:NPT、沟道和场截止 配置:升压斩波器,全桥 电压 - 集电极发...
APTGT75X60T3G Microsemi Power Products Group SP3 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三相反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
APTGT75TL60T3G Microsemi Power Products Group SP3 9 POWER MODULE IGBT 600V 75A SP3 IGBT 类型:沟道和场截止 配置:三级反相器 电压 - 集电极发射极击穿(最大...
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APTGV100H60BTPG参数资料

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IGBT 类型:NPT、沟道和场截止
配置:升压斩波器,全桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,100A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):150A
电流 - 集电极截止(最大):250µA
Vce 时的输入电容 (Cies):6.1nF @ 25V
功率 - 最大:340W
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
安装类型:底座安装

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