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APTM100A18FTG

Microsemi Power Products Group SP4 10
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简述:MOSFET 2 N CH 1000V 43A SP4
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTM100A18FTG参数资料

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FET 型:2 N 沟道(半桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:43A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:210 毫欧 @ 21.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:372nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:10400pF @ 25V
功率 - 最大:780W
安装类型:底座安装

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