收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM100DAM90G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM100DAM90G

Microsemi Power Products Group SP6
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM100DAM90G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM100DDA35T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM100DSK35T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM100DU18TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM100DA40T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100DA33T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1000V 23A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM100DA18TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM100DAM90G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:78A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫欧 @ 39A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:744nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:20700pF @ 25V
功率 - 最大:1250W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别