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APTM100U13SG

Microsemi Power Products Group J3 模块
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简述:MOSFET N-CH 1000V 65A J3
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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APTM100U13SG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:145 毫欧 @ 32.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2000nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:31600pF @ 25V
功率 - 最大:1250W
安装类型:底座安装

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