收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM10DHM05G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM10DHM05G

Microsemi Power Products Group SP6
询价QQ:
简述:MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM10DHM05G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM10DHM09TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4 FET 型:2 N 沟道(非对称桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
APTM10DSKM09T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM10DSKM19T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM10DDAM19T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM10DDAM09T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM10DAM05TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 100V 278A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM10DHM05G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 N 沟道(非对称桥)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:278A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 毫欧 @ 125A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:700nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:20000pF @ 25V
功率 - 最大:780W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别