收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM120DU15G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM120DU15G

Microsemi Power Products Group SP6 2
询价QQ:
简述:MOSFET MOD DL COM SRC 1200V SP6
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM120DU15G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM120DU29TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP4 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM120H140FT1G Microsemi Power Products Group SP1 11 MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM120H29FG Microsemi Power Products Group SP6 PWR MODULE MOSFET 1200V 34A SP6 FET 型:4 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM120DSK57T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM120DDA57T3G Microsemi Power Products Group SP3 MOSFET MOD DUAL BOOST CHOP SP3 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
APTM120DA68T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM120DU15G参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:175 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:748nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:20600pF @ 25V
功率 - 最大:1250W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别