收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM120TA57FPG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM120TA57FPG

Microsemi Power Products Group SP6
询价QQ:
简述:MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM120TA57FPG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM120TDU57PG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路) FET 特点:标准 漏极至源极电压(...
APTM120U10DAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120U10SAG Microsemi Power Products Group SP6 12 MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120SK68T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120SK56T1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET N-CH 1200V 18A SP1 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM120SK29TG Microsemi Power Products Group SP4 MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM120TA57FPG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:6 N 沟道(3 相切换电路)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:684 毫欧 @ 8.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:187nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:5155pF @ 25V
功率 - 最大:390W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别