收藏本站

首页 > 半导体模块 > FET > APTM20UM09SG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

APTM20UM09SG

Microsemi Power Products Group J3 模块
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 195A J3
参考包装数量:1
参考包装形式:散装

与APTM20UM09SG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
APTM50A15FT1G Microsemi Power Products Group SP1 MOSFET MODULE PHASE LEG SP1 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM50AM17FG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MODULE PHASE LEG SP6 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM50AM19FG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET MODULE PHASE LEG SP6 FET 型:2 N 沟道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss)...
APTM20UM05SG Microsemi Power Products Group J3 模块 MOSFET N-CH 200V 317A J3 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM20UM04SAG Microsemi Power Products Group SP6 MOSFET N-CH 200V 417A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...
APTM20UM03FAG Microsemi Power Products Group SP6 8 POWER MOD MOSFET 200V 580A SP6 FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:标准 漏极至源极电...

APTM20UM09SG参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:195A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 74.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:217nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:12300pF @ 25V
功率 - 最大:780W
安装类型:底座安装

最近更新

型号类别