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BAS16-07L4E6327

Infineon Technologies 4-XFDFN
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简述:DIODE SW GP 80V 200MA TSLP-4
参考包装数量:15000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BAS16-07L4E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BAS16-7 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SWITCH 75V 350MW SOT23-3 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16-7-F Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 69000 DIODE SWITCH 75V 350MW SOT23-3 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):75V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16DXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 DIODE SWITCH DUAL 75V SOT563 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA 电流...
BAS16-03WE6327 Infineon Technologies SC-76,SOD-323 DIODE SW GP 80V 250MA SOD-323 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):80V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16-02WH6327 Infineon Technologies SC-80 DIODE SW 80V 200MA HS SCD80 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):80V 电流 - 平均整流 (Io...
BAS16-02VH6327 Infineon Technologies SC-79,SOD-523 DIODE SW 80V 200MA HS SC79 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):80V 电流 - 平均整流 (Io...

BAS16-07L4E6327参数资料

PDF资料下载:

电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大):80V
反向恢复时间(trr):4ns
二极管类型:标准
速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置:2 个独立式
安装类型:表面贴装

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