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首页 > 分离式半导体产品 > 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) > BBY40TA
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BBY40TA

Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1034
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简述:DIODE VARI CAP 28V 330MW SOT23-3
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BBY51-02LE6327 Infineon Technologies 2-SMD,无引线 DIODE TUNING 7V 20MA TSLP-2 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...
BBY51-02WE6327 Infineon Technologies SC-80 DIODE TUNING 7V 20MA SCD-80 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...
BBY51-02WH6327 Infineon Technologies SC-80 DIODE TUNING 7V 20MA SCD80 电容@ Vr, F:3.7pF @ 4V,1MHz 电容比:2.2 电容比条件:...
BBY40,235 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE VHF VAR CAP 30V SOT23 电容@ Vr, F:6pF @ 25V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:C...
BBY40,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 18000 DIODE VHF VAR CAP 30V SOT-23 电容@ Vr, F:6pF @ 25V,1MHz 电容比:6.5 电容比条件:C...
BBY31,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE UHF VAR CAP 30V SOT-23 电容@ Vr, F:2pF @ 28V,1MHz 电容比:8.3 电容比条件:C...

BBY40TA参数资料

PDF资料下载:

电容@ Vr, F:6pF @ 25V,1MHz
电容比:6.5
电容比条件:C3/C25
电压 - 峰值反向(最大):28V
二极管类型:单一
在 Vr、F 时的 Q 值:-
安装类型:表面贴装

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