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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > BC847BPDW1T3G
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BC847BPDW1T3G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 0+190000
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简述:TRANS NPN/PNP BIPO 45V SOT-363
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BC847BPDW1T3G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BC847BPDXV6T1 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP DUAL LP 45V SOT563 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压...
BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 0+116000 TRANS NPN/PNP DUAL LP 45V SOT563 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压...
BC847BPDXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN/PNP DUAL 45V SOT-563 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压...
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BC847BNMMTF Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...

BC847BPDW1T3G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V
功率 - 最大:380mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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