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BC848CDW1T1G

ON Semiconductor 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 12000+54000
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简述:TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BC848CDW1T1G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BC848CDXV6T1G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN DUAL 30V 100MA SOT-563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BC848CDXV6T5 ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN DUAL LP 30V SOT563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BC848CDXV6T5G ON Semiconductor SOT-563,SOT-666 TRANS NPN DUAL LP 30V SOT563 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电...
BC848CB6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 30V SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...
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BC848BWT1G ON Semiconductor SC-70,SOT-323 29990 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集...

BC848CDW1T1G参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):420 @ 2mA,5V
功率 - 最大:380mW
频率 - 转换:100MHz
安装类型:表面贴装

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