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首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > BCR112E6327
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BCR112E6327

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BCR112E6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 5mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:140MHz
功率 - 最大:200mW
安装类型:表面贴装

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