收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 > BCR512E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BCR512E6327

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BCR512E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BCR521E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BCR523E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BCR523E6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BCR505E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BCR503E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 75000 TRANSISTOR NPN DGTL 50V SOT-23 晶体管类型:NPN - 预偏压 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA ...
BCR48PNH6727 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS NPN/PNP DGTL 50V SOT363 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极...

BCR512E6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):4.7k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):4.7k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):60 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
频率 - 转换:100MHz
功率 - 最大:330mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别